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U(B)30BCT thru U(B)30DCT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89015
Revision: 27-Aug-08
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927
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
100
10
1
0.1
0.01
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0.9 1.0 1.1
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TJ
= 50 °C
TJ
= 75 °C
TJ
= 100 °C
TJ
= 125 °C
1000
100
10
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
1
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
TJ
= 50 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 100 °C
TJ
= 75 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode
100
10
0.1 1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
100
0.1
1
0.001 10.1
0.01
10
100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal
Imped
ance (
°C/
W
)
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